• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:

    公开号:WO1992016017A1
    申请号:PCT/JP1992/000219
    申请日:1992-02-28
    公开日:1992-09-17
    发明作者:Yasuo Sugihara；Kazushige Tanaka；Michiya Kawakami
    申请人:Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 半導 体基板 の 洗 浄 液
    [0002] 技術分野
    [0003] 本 発 明 は 半導体基板 の 洗 浄液 に 関 す る 。 更 に 詳 し く は 少 な く と も 2 つ の ホ ス ホ ン 酸基 を 有 す る キ レ ー ト 剤 を 含 有 す る 塩基性 の 過 酸 化 水 素水 溶液 か ら な る 半導 体 基板 の 洗 浄液 に 関 す る 。
    [0004] 背 景技 術
    [0005] 半導体素子 の 製造 に 当 た っ て は 、 シ リ コ ン ウ ェ ハ ー を 始 め と す る 半導体基板表 面 に 付 着 し た 汚 染 物 質 を 除 去 す る た め に 薬液洗 浄 が 行 わ れ て い る が 、 こ の 洗 浄 液 に は 、 過酸 化水 素 を 主 成 分 と す る 洗 浄 液 が 多 用 さ れ て お り 、 例 え ば塩 酸 と 過酸 化 水 素 の 混 合 水 溶液 、 硫酸 と 過 酸 化 水 素 の 混 合 水 溶液 、 ア ン モ ニ ア と 過酸 化 水 素 の 混 合 水 溶 液 な ど が知 ら れ て い る 。
    [0006] 特 に 液 性 が 塩基性 の ァ ン モ ニ ァ と 過 酸 化水 素 の 混 合 水 溶液 は 基板 表 面 に 付着 し た 微粒子 の 除去 に 効 果 的 で あ る こ と カゝ ら 最 も 広 く 使 用 さ れ て レ、 る 。 し 力、 し な 力 ら 、 塩基性 の 洗 浄液 に お い て は F e、 C uな ど の 金属 不純物 が不溶化 し 、 こ れ が基板表 面 に 付 着 し て 半導体 素子 の 素 子特性 に 悪影鬌 を 与 え る と レ、 つ た 問 題 が あ っ た 。
    [0007] こ の 対策 と し て ア ン モ ニ ア 及 び過酸 化水 素 自 体 の 高 純度 が進 め ら れ 、 現 在 で は ァ ン モ ニ ァ 及 び過 酸 化 水 素 中 の 金属不純物濃度 は 1 p p b以下 と な る に 至 っ て い る 。 し か し な が ら 、 高純度化 さ れ た 洗浄液 は 逆 に 外部 か ら の 金属汚染 に 対 し て 敏感 に な り 、 洗浄容器 な どか ら の金属汚染が半導体素子 の素子特性 の 不安定化 の 原 因 に な る と レ、 つ た 問題力 S あ っ た 。
    [0008] 一方、 金属不純物 の 半導体基板へ の 付着 を 抑制 す る 他 の 方法 と し て は キ レ ー ト 剤の 添加が提案 さ て お り 、 た と え ば ド イ ツ 公開 特許第 3 8 2 2 3 5 0 号 で は キ レ 一 卜 剤 と し て エ チ レ ン ジ ア ミ ン テ ト ラ 酢酸 （ E D T A ) を 用 レ、 る 方法が提案 さ れ て い る 。 し か し 、 E D T A の 添加 は 実際 に は ほ と ん ど ¾果が認 め ら れ ず、 安定 し た 効果 を 示 す 対策が望 ま れ て い た 。
    [0009] 癸 明 の 開示
    [0010] 本発 明 の 目 的 は 上記 し た 如 き の 問題点 を 解決 し 、 塩 基性 の過酸化水 素洗浄液が金属 不純物 で汚染 さ れ て も 、 汚染物 の基板表面へ の 付着 を 抑制 し 、 安定 し た 基板 の 洗浄 を 可能 と す る 洗浄液 を 提供 す る こ と に あ る 。
    [0011] 本発 明者 ら は 上記 の 目 的 を 達成 す べ く 鋭意検 討 を 行 つ た結果、 少 な く と も 2 つ の ホ ス ホ ン 酸基 を 有 す る キ レ ー 卜 剤 の 添加が極 め て 有効 で あ る こ と を 見 い 出 し 本 発 明 を 完成 す る に 至 っ た 。 .
    [0012] す な わ ち 、 本発 明 は少 な く と も 2 つ の ホ ス ホ ン 酸基 を 有 す る キ レ ー 卜 剤 を 含有 す る 塩基性 の 過酸化水 素洗 浄液か ら な る 半導 基板洗浄液 に 関 す る 。
    [0013] 本発 明 で使用 す る キ レ ー 卜 剤 は 少 な く と も 2 つ の ホ ス ホ ン 酸 基 を 有 す る キ レ 一 卜 剤 で あ れ ば制 限 は な い が 、 こ の 代 表 例 と し て は 、 ァ ミ ノ ト リ （ メ チ レ ン ホ ス ホ ン 酸 ） 、 1 ー ヒ ド ロ キ シ ェ チ リ デ ン ー 1 、 1 ー ジ ホ ス ホ ン 酸 、 エ チ レ ン ジ ア ミ ン テ ト ラ （ メ チ レ ン ホ ス ホ ン 酸 ） 、 へ キ サ メ チ レ ン ジ ア ミ ン テ ト ラ （ メ チ レ ン ホ ス ホ ン 酸 ） 、 プ ロ ピ レ ン ジ ァ ミ ン テ 卜 ラ （ メ チ レ ン ホ ス ホ ン 酸 ） 、 ジ エ チ レ ン 卜 リ ア ミ ン ペ ン タ （ メ チ レ ン ホ ス ホ ン 酸 ） 、 ト リ エ チ レ ン テ ト ラ ミ ン へ キ サ （ メ チ レ ン ホ ス ホ ン 酸 ） 、 卜 リ ア ミ ノ ト リ ェ チ ゾレ ア ミ ン へ キ サ
    [0014] 〔 メ チ レ ン ホ ス ホ ン 酸 ） 、 卜 ラ ン ス 一 1 、 2 — シ ク ロ へ キ サ ン ジ ァ ミ ン テ ト ラ （ メ チ レ ン ホ ス ホ ン 酸 ） 、 グ リ コ ー ル エ ー テ ル ジ ァ ミ ン テ ト ラ （ メ チ レ ン ホ ス ホ ン 酸 ） 、 及 び テ 卜 ラ エ チ レ ン ペ ン タ ミ ン へ プ タ （ メ チ レ ン ホ ス ホ ン 酸 ） な ど 力； 挙 げ ら れ る 。
    [0015] こ れ ら の う ち 、 特 に こ の ま し レ、 の は 、 キ レ ー ト 力 の 強 い エ チ レ ン ジ ア ミ ン テ ト ラ （ メ チ レ ン ホ ス ホ ン 酸 ） 、 プ ロ ピ レ ン ジ ア ミ ン テ ト ラ （ メ チ レ ン ホ ス ホ ン 酸 ） 、 ジ エ チ レ ン 卜 リ ア ミ ン ペ ン タ （ メ チ レ ン ホ ス ホ ン 酸 ：) 等 で あ る 。 こ れ ら 本 発 明 に 使用 さ れ る キ レ ー 卜 剤 は 遊離酸 の 形 で使用 さ れ る の が望 ま し い が 、 溶解度 が 不 足 す る 場 合 は ァ ン モ ニ ゥ ム 塩等 の 塩 の 形 で使 用 す る こ と も で き る 。
    [0016] 本 発 明 に お い て キ レ ー ト 剤 の 添加量 は 特 に 制 限 は さ れ な い が 、 金属不純物 の 含 有量 も し く は 汚 染 度 、 あ る い は 塩 基性 の 過 酸 化 水 素 洗 浄液 中 の 塩基性化 合 物 の 種 類 な ど に よ っ て 決定 さ れ 、 通常 は 洗浄液全量 に 対 し て 1 pPb~ 1 0 0 0 ppmの 範囲 で添加 さ れ る 。
    [0017] キ レ ー ト 剤 の 添加 は 塩基性 の 過酸化水素洗浄液 を 調 製後、 こ れ に 添力 [3 し て も 良 く 、 あ る レ、 は 、 ア ン モ ニ ア 、 有機 ァ ミ ン 、 過酸化水素、 水 、 等 に 予 め 添加 し 、 し か る 後 に こ れ ら を 混 合 し て も 良 い 。 通常 は塩基性 の 過 酸化水素洗浄液調製後 に 添加 さ れ る の が一般的 で あ る 本発 明 の 塩基性 の 過酸化水素洗浄液 は ァ ン モ ニ ァ と 過酸化水素 と の 混合水溶液 に 代表 さ れ る が、 こ れ 以外 に 、 例 え ば コ リ ン （ ハ イ ド ロ キ シ ソレ ト リ メ チ ノレ ア ン モ ニ ゥ ム ハ イ ド Π7 ォ キ サ イ ド ） 、 テ ト ラ メ チ ル ア ン モ ニ ゥ ム ノ、 ィ ド ロ ォ キ サ イ ド 、 テ ト ラ ェ チ ル ア ン モ ニ ゥ ム ハ イ ド ロ ォ キ サ イ ド な ど の 有機 ア ミ ン 類 と 過酸化水素 と の 混 合水溶液 な ど に も 適用 で き る 。 ア ン モ ニ ア と 過 酸化水素 の 混 合 水溶液 か ら な る 塩基性洗浄液 の 場 合 の 組成 は 、 通常 ア ン モ ニ ア 濃度が 0 . 1 〜 1 0 重量 ％ 、 過酸化水 素濃度が 0 . 1 〜 2 0 重量 ％ の 範 囲 で使用 さ れ 、 他 の 有機 ァ ミ ン と 過酸化水素 と の 混合水溶液 の 場 合 の 組成 は、 通常有機 ア ミ ン 濃度が 0 . 0 1 ~ 1 0 重 量 ％ 、 過轉化水素濃度が 0 . 1 ~ 2 0 重量 ％ の 範囲 で 使用 さ れ る 。 ま た 、 塩酸 と 過酸化水素 の 混 合水溶液 の 如 き 酸性 の 洗浄液 に つ い て は 、 洗浄液 自 体 に 金属不純 物 の 付着抑制効果が あ る た め 、 本発 明 の キ レ ー ト 剤 を 特 に 添加 す る 必要 は な い が 、 添 力 π す る こ と は 差支 え な 発 明 を 実 施 す る た め の 最 良 の 形態
    [0018] 実施例 1
    [0019] 予備洗浄 し た 3 イ ン チ の シ リ コ ン 基板 を 、 髙純度 ァ ン モ ニ ァ （ 2 8 重量 ％ ) 、 高純度過 酸化水素 （ 3 0 重 量 ％ ) 及 び超純水 が 1 ： 4 ： 2 0 ( 容 量比 ） の 割 合 か ら な る 混 合 液 に エ チ レ ン ジ ア ミ ン テ ト ラ （ メ チ レ ン ホ ス ホ ン 酸 ） を l ppm添 加 し て 調製 し た 塩基性洗 浄液 を 用 い て 8 5 °C で 1 0 分 間 、 浸漬 し 洗浄 し た 。
    [0020] 洗 浄 さ れ た 基板 を 酸 素気流 中 で酸化 し 、 約 3 5 0 A の 厚 さ に 酸化膜 を 成長 さ せ て M O S ダ イ ォ 一 ド を 作製 し 、 そ の 電気 #性 と し て 少数 キ ャ リ ア の 界面 発 生速度 を 測 定 し た 。 同 じ 操作 を 5 回 繰 り 返 し た 結果 を 表 1 に 示 す 。 表 1 に 認 め ら れ る よ う に 安 定 な 洗浄 を 行 う こ と が で き 少数 キ ャ リ ア の 界 面 発生速度 の 値 は 、 本 発 明 の キ レ ー ト 剤 を 添 加 し な い 比 較例 に 比 べ 大 幅 に 改 善 さ れ る と と も に ノく ラ ッ キ も 少 な く な っ た 。
    [0021] 表 1
    [0022] 実 験 回 数 界 ώ発生速度 ( cm/sec)
    [0023] 1 2 - S X 1 0 -2 2 3 - 3 X 1 0 一 2 3 2 . 5 X 1 0 一 2 4 2 . 8 X 1 0 -2
    [0024] 3 . 2 X 1 0 - 2
    [0025] 比較例 予備洗浄 し た 3 ィ ン チ の シ リ コ ン 基板 を 高純度 ア ン モ ニ ァ （ 2 8 重量 ％ ) 、 高純度過酸化水素 （ 3 0 重量 % ) 及 び超純水 を 1 ： 4 ： 2 0 (容量比 ） の 割 合 に 混 合 し て 調製 し た 塩基性洗浄液 を 用 い て 8 5 。c で 1 0 分 間 、 浸漬 し 洗浄 し た 。
    [0026] 洗浄 さ れ た 基板 を 実施例 1 と 同 様 に 処理 し て 酸化膜 を 有 す る M O s ダ イ ォ ー ド を 作製 し 、 そ の 電気特性 と し て 少数 キ ャ リ ア の 界面発生速度 を 測定 し た 。 そ の 結 果 を 表 2 に 示す 。
    [0027] 表 2
    [0028] 実験 回数 界面発生速度 cm/sec)
    [0029] 1 6 - 9 X 1 0 -2 2 8 - 8 X 1 0 一 2 3 9 - 4 X 1 0 -2 4 4 - 9 X 1 0 -2
    [0030] 0 6 - 4 X 1 0 - - 実施例 2
    [0031] 金属不純物 の 影響及 び キ レ ー 卜 剤 の 抑 制効果 を 調 べ る た め に 、 表 3 に 示す塩基性洗浄液 を 調製 し て 使用 し 、 操作 は 実施例 1 と 同様 に 操作 し た 。 電気特性 は 少数 キ ャ リ ア の 発生 ラ イ フ タ イ ム を 測定 し た 。 ま た 、 電気 特性 へ の影響が金属不純物 に よ る こ と を 確認 す る た め に 、 基板表面 の 金属不純物の 付着量 を 全反射蛍 光 X 線 分析装置 で分析 し た 。
    [0032] 鉄 イ オ ン i 0 ppbの 添加 に よ り 基板表面 に は 鉄が付 着 し 少数 キ ヤ リ ア 発生 ラ イ フ タ イ ム も 大 き く 悪ィヒ し た 力； 、 同 時 に プ ロ ピ レ ン ジ ァ ミ ン テ ラ （ メ チ レ ン ホ ス ホ ン 酸 ） （ P D T M P ) を 添力 Bす る こ と に よ り 、 鉄 の 付 着が抑 制 さ れ 少数 キ ヤ リ ア 発生 ラ イ フ タ イ ム の 悪化 も 認 め ら れ な カゝ つ た 。
    [0033] ま た 、 エ チ レ ン ジ ア ミ ン テ ト ラ 齚酸 （ E D T A ) の 添加 で は 抑制効果 が 全 く 見 ら れ な か っ た 。
    [0034] 表 3
    [0035] 試験 塩基性 洗 浄液 Fe付着 量 発 生 ラ イ フ タ イ ム 番 "^ atoms/cm2) (sec
    [0036] C 1 ) NH40H/H202/水 3 X 101 0 5 - 5 X 10
    [0037] (2) NH40H/H202/水 135 X 101 0 0.2 X 10 Fe 10 ppb 添 カロ
    [0038] (3) ΝΗ40Η/Η202 /τ iZ 3 X 101 6 - 3 X 10 Fe 10 ppb及 び
    [0039] PDTMP lppm添 力 [！
    [0040] (4) NH40H/H202 /水 に 130 X 101 0.2 X 10 Fe 10 ppb及 び
    [0041] EDTA lppm添 加
    [0042] (注 ） Η40Η/Η 202 /τ = 1/4/20 (容 量 i ) 産業上 の 利 用 可 能性
    [0043] 本発 明 の 洗浄 液 に よ れ ば塩基 性 の 洗 浄液 が金属 不純 物 で汚染 さ れ て も 、 汚染 に よ る 半導体基板表面 へ の 影 響 を 抑制 で き 、 安定 し た 半導体基板 の 洗浄が で き 素子 不良率が減少 し 、 良 好 な 半導体素子 の 製造が可能 で あ る 。
    权利要求:
    Claims

    請 求 の 範 囲 . 少 な く と も 2 つ の ホ ス ホ ン 酸 基 を 有 す る キ レ 一 ト 剤 を 含有 す る 塩基性 の 過酸 化水素洗浄液 か ら な る 半 導体基板洗 浄液 。
    - 塩基性過酸 化水 素洗浄液 が ア ン モ ニ ア と 過酸化水 素 と の 混 合 水 溶液 で あ る 請求 の 範 囲 第 1 項記載 の 半 導体基板 洗 浄液 。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    US9416338B2|2016-08-16|Composition for and method of suppressing titanium nitride corrosion
    CN101228481B|2012-12-05|从包括铜和低k电介体的基片上除去抗蚀剂、蚀刻残余物和氧化铜的方法
    CN100543124C|2009-09-23|基板用清洗剂及清洗方法
    KR900001290B1|1990-03-05|부식액 조성물
    TWI299060B|2008-07-21|Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
    TW467767B|2001-12-11|Electroless metal deposition of electronic components in an enclosable vessel
    EP2229431B1|2013-02-20|Textur- und reinigungsmedium zur oberflächenbehandlung von wafern und dessen verwendung
    US6896744B2|2005-05-24|Method for cleaning a surface of a substrate
    CN1299333C|2007-02-07|清洗电子元件或其制造设备的元件的方法和装置
    US5635053A|1997-06-03|Method and apparatus for cleaning electronic parts
    US5800626A|1998-09-01|Control of gas content in process liquids for improved megasonic cleaning of semiconductor wafers and microelectronics substrates
    ES2310677T3|2009-01-16|Composiciones acuosas a base de acido fosforico para la limpieza de dispositivos semiconductores.
    KR100248113B1|2000-03-15|전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물
    US6514921B1|2003-02-04|Cleaning agent
    US6410494B2|2002-06-25|Cleaning agent
    TW576869B|2004-02-21|Agent for etching Ti film and etching method
    KR101633940B1|2016-06-27|캡 층을 갖는 기판에 대한 증착후 세정 방법 및 제제
    JP4304988B2|2009-07-29|半導体デバイス用基板の洗浄方法
    JP5428859B2|2014-02-26|鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物、および鉛フリーハンダフラックスの除去方法
    TWI376273B|2012-11-11|Semiconductor substrate process
    TWI302950B|2008-11-11|Cleaning solution and method of cleanimg board of semiconductor device
    TW511180B|2002-11-21|Mixed acid solution in etching process, process for producing the same, etching process using the same and process for producing semiconductor device
    US9476019B2|2016-10-25|Cleaning agent for semiconductor provided with metal wiring
    JP2857042B2|1999-02-10|シリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液
    JP5583789B2|2014-09-03|堆積物を除去する方法及び組成物
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    JP3075290B2|2000-08-14|
    DE69207303D1|1996-02-15|
    EP0528053B1|1996-01-03|
    EP0528053A4|1993-06-30|
    DE69207303T2|1996-05-15|
    JPH06116770A|1994-04-26|
    EP0528053A1|1993-02-24|
    KR100199687B1|1999-06-15|
    US5302311A|1994-04-12|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    JPS5022721A|1973-07-02|1975-03-11|||
    JPS61294824A|1985-06-21|1986-12-25|Nec Corp|Apparatus for manufacturing semiconductor integrated circuit|
    JPS63211724A|1987-01-27|1988-09-02|Micro Imetsuji Technol Ltd|Storable semiconductor washing solution, manufacture of the same and application of the same|
    JPH01154523A|1987-12-11|1989-06-16|Fujitsu Ltd|Cleaning fluid for silicon layer|
    JPH024991A|1988-06-23|1990-01-09|Kao Corp|Detergent for metal|
    JPH02225684A|1989-02-27|1990-09-07|C Uyemura & Co Ltd|Smut removing agent for copper or copper alloy and method for removing smut|US8802613B2|2007-12-13|2014-08-12|Akzo Nobel N.V.|Stabilized hydrogen peroxide solutions|NL252116A|1959-06-03||||
    US3234140A|1964-06-05|1966-02-08|Monsanto Co|Stabilization of peroxy solutions|
    US3701825A|1970-10-23|1972-10-31|Fmc Corp|Stabilization of hydrogen peroxide with ethylenediamine tetra |
    JPS5921994B2|1977-09-03|1984-05-23|Kiwako Sato||
    US4304762A|1978-09-27|1981-12-08|Lever Brothers Company|Stabilization of hydrogen peroxide|
    US4497725A|1980-04-01|1985-02-05|Interox Chemicals Ltd.|Aqueous bleach compositions|
    US4614646A|1984-12-24|1986-09-30|The Dow Chemical Company|Stabilization of peroxide systems in the presence of alkaline earth metal ions|
    US4808259A|1988-01-25|1989-02-28|Intel Corporation|Plasma etching process for MOS circuit pregate etching utiliizing a multi-step power reduction recipe|
    DE3822350A1|1988-07-01|1990-01-04|Siemens Ag|Verfahren zum entfernen von metall-verunreinigungen auf halbleiterkristalloberflaechen|
    JP2850395B2|1989-08-31|1999-01-27|三菱瓦斯化学株式会社|過酸化水素組成物|
    JP3060499B2|1989-09-01|2000-07-10|三菱瓦斯化学株式会社|過酸化水素の製造方法|
    EP0496605B1|1991-01-24|2001-08-01|Purex Co.Ltd.|Surface treating solutions for semiconductors|TW263531B|1992-03-11|1995-11-21|Mitsubishi Gas Chemical Co||
    JP3074366B2|1993-02-22|2000-08-07|東京エレクトロン株式会社|処理装置|
    US5950645A|1993-10-20|1999-09-14|Verteq, Inc.|Semiconductor wafer cleaning system|
    US5656097A|1993-10-20|1997-08-12|Verteq, Inc.|Semiconductor wafer cleaning system|
    TW274630B|1994-01-28|1996-04-21|Wako Zunyaku Kogyo Kk||
    US5637151A|1994-06-27|1997-06-10|Siemens Components, Inc.|Method for reducing metal contamination of silicon wafers during semiconductor manufacturing|
    JPH08162425A|1994-12-06|1996-06-21|Mitsubishi Electric Corp|半導体集積回路装置の製造方法および製造装置|
    US5712168A|1995-02-03|1998-01-27|Imec|Method for evaluating, monitoring or controlling the efficiency, stability, or exhaustion of a complexing or chelating agent present in a chemical solution used for oxidizing, dissolving, etching or stripping a semiconductor wafer|
    US5725678A|1995-03-06|1998-03-10|The Penn State Research Foundation|Aqueous-based cleaner for the removal of residue|
    WO1997005228A1|1995-07-27|1997-02-13|Mitsubishi Chemical Corporation|Method for treating surface of substrate and surface treatment composition therefor|
    US6884557B2|1995-12-14|2005-04-26|Fuji Photo Film Co., Ltd.|Desensitizing treatment liquid for lithographic printing|
    US5674826A|1996-01-02|1997-10-07|Mcmullen; Robert W.|Cleaning composition|
    US6905550B2|1996-05-06|2005-06-14|Princeton Trade & Technology, Inc.|Method of removing organic materials using aqueous cleaning solutions|
    US6410494B2|1996-06-05|2002-06-25|Wako Pure Chemical Industries, Ltd.|Cleaning agent|
    DE19631363C1|1996-08-02|1998-02-12|Siemens Ag|Wässrige Reinigungslösung für ein Halbleitersubstrat|
    US6066609A|1997-07-31|2000-05-23|Siemens Aktiengesellschaft|Aqueous solution for cleaning a semiconductor substrate|
    KR100497835B1|1997-01-27|2005-09-08|미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤|표면처리조성물및이를이용한기판의표면처리방법|
    US5962384A|1997-10-28|1999-10-05|International Business Machines Corporation|Method for cleaning semiconductor devices|
    US6063205A|1998-01-28|2000-05-16|Cooper; Steven P.|Use of H2 O2 solution as a method of post lap cleaning|
    JP3111979B2|1998-05-20|2000-11-27|日本電気株式会社|ウエハの洗浄方法|
    TW467953B|1998-11-12|2001-12-11|Mitsubishi Gas Chemical Co|New detergent and cleaning method of using it|
    SG73683A1|1998-11-24|2000-06-20|Texas Instruments Inc|Stabilized slurry compositions|
    US6592676B1|1999-01-08|2003-07-15|Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum|Chemical solution and method for reducing the metal contamination on the surface of a semiconductor substrate|
    EP1018759A3|1999-01-08|2000-08-30|Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw|Chemical solution and method for reducing the metal contamination on the surface of a semiconductor substrate|
    EP1039518A1|1999-03-24|2000-09-27|Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw|Chemical solution and method for reducing the metal contamination on the surface of a semiconductor substrate|
    EP1091395A1|1999-09-30|2001-04-11|Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw|A cleaning solution for treating a semiconductor substrate|
    US7456113B2|2000-06-26|2008-11-25|Applied Materials, Inc.|Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process|
    US6927176B2|2000-06-26|2005-08-09|Applied Materials, Inc.|Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process|
    EP1345848B1|2000-12-22|2006-07-12|Interuniversitair Microelektronica Centrum |Composition comprising an oxidizing and complexing compound|
    US20040002430A1|2002-07-01|2004-01-01|Applied Materials, Inc.|Using a time critical wafer cleaning solution by combining a chelating agent with an oxidizer at point-of-use|
    WO2004042811A1|2002-11-08|2004-05-21|Wako Pure Chemical Industries, Ltd.|洗浄液及びそれを用いた洗浄方法|
    US7459005B2|2002-11-22|2008-12-02|Akzo Nobel N.V.|Chemical composition and method|
    WO2005001016A1|2003-06-27|2005-01-06|Interuniversitair Microelektronica Centrum |Semiconductor cleaning solution|
    US7432233B2|2003-12-18|2008-10-07|Interuniversitair Microelektronica Centrum |Composition and method for treating a semiconductor substrate|
    US7169237B2|2004-04-08|2007-01-30|Arkema Inc.|Stabilization of alkaline hydrogen peroxide|
    US7431775B2|2004-04-08|2008-10-07|Arkema Inc.|Liquid detergent formulation with hydrogen peroxide|
    US7323421B2|2004-06-16|2008-01-29|Memc Electronic Materials, Inc.|Silicon wafer etching process and composition|
    US7045493B2|2004-07-09|2006-05-16|Arkema Inc.|Stabilized thickened hydrogen peroxide containing compositions|
    JP4431461B2|2004-08-09|2010-03-17|オプトレックス株式会社|表示装置の製造方法|
    US7776713B2|2007-05-30|2010-08-17|Macronix International Co., Ltd.|Etching solution, method of surface modification of semiconductor substrate and method of forming shallow trench isolation|
    JP5278492B2|2010-06-16|2013-09-04|株式会社デンソー|半導体装置の製造方法|
    US20180024447A1|2016-07-25|2018-01-25|Applied Materials, Inc.|Cleaning Solution Mixing System With Ultra-Dilute Cleaning Solution And Method Of Operation Thereof|
    法律状态:
    1992-09-17| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): KR US |
    1992-09-17| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): DE FR GB |
    1992-09-23| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1019920702311 Country of ref document: KR |
    1992-10-27| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1992906248 Country of ref document: EP |
    1993-02-24| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1992906248 Country of ref document: EP |
    1996-01-03| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1992906248 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP3/55736||1991-02-28||
    JP5573691A|JP3075290B2|1991-02-28|1991-02-28|半導体基板の洗浄液|EP19920906248| EP0528053B1|1991-02-28|1992-02-28|Cleaning liquid for semiconductor substrate|
    US07/927,282| US5302311A|1991-02-28|1992-02-28|Cleaning solution of semiconductor substrate|
    DE1992607303| DE69207303T2|1991-02-28|1992-02-28|Fluessiges reinigungsmittel fuer halbleitersubstrat|
    KR1019920702311A| KR100199687B1|1991-02-28|1992-09-23|반도체 기판의 세정액|
    [返回顶部]